崗位職責：

1. 負責IGBT、MOSFET、FRD等功率半導體芯片設計與開(kāi)發(fā)工作，含工藝仿真、結構設計、版圖繪制，工藝流程制定，檢測程序制定；

2. 負責解決芯片設計與開(kāi)發(fā)過(guò)程中的關(guān)鍵設計、仿真、工藝等技術(shù)問(wèn)題，進(jìn)行芯片性能分析及優(yōu)化，確保研發(fā)項目的順利進(jìn)行；

3. 根據需求進(jìn)行產(chǎn)品變更與維護，實(shí)驗數據的統計分析；

4. 新材料，新器件，新產(chǎn)品技術(shù)情報收集與分析.

學(xué)歷要求：

1.碩士及以上，物理學(xué)，微電子，電子工程，電氣工程，自動(dòng)化等相關(guān)專(zhuān)業(yè)；

能力要求：

1. 5年以上相關(guān)工作經(jīng)驗，具有功率器件從設計到量產(chǎn)的完整經(jīng)驗優(yōu)先；

2. 精通IGBT，MOSFET，FRD等功率器件原理；

3. 熟悉IGBT，MOSFET，FRD等功率器件工藝；

4. 熟悉常見(jiàn)電力電子拓撲；熟悉常見(jiàn)功率器件封裝；

5. 熟練使用Sentaurus TCAD或Silvaco TCAD等工具。